Экспериментальное исследование люминесцентных свойств полупроводников, кремниевые светоизлучающие структуры.
Образование
2000 - окончил факультет ВШ ОПФ Нижегородского государственного университета;
2004 - окончил аспирантуру ИФМ РАН;
2004 - защитил кандидатскую диссертацию 'Люминесцентные свойства структур на основе кремния в области длин волн 1,5 - 1,6 мкм'.
Профессиональная карьера
1998 - 2000 - старший лаборант-исследователь ИФМ РАН;
2000 - 2004 - младший научный сотрудник ИФМ РАН;
2004 - н/вр - научный сотрудник ИФМ РАН.
Избранные публикации
Krasilnik Z.F., Aleshkin V.Ya., Andreev B.A., Gusev O.B. Jantsch W., Krasilnikova L.V., Krizhkov D.I., Kuznetsov V.P., Shengurov V.G., Shmagin V.B., Sobolev N.A., Stepikhova M.V., Yablonsky A.N., SMBE grown uniformly and selectively doped Si:Er structures for LEDs and lasers // in 'Towards the first silicon laser' Eds. L. Pavesi, S. Gaponenko, L. Dal Negro, Kluver Academic Publishers, 2003. P.445-454.
Andreev B.A., Emtsev V.V., Kryzhkov D.I., Kuritsyn D.I., and Shmagin V.B., Study of IR absorption and photoconductivity spectra of thermal double donors in silicon //Physica status solidi. (b) 2003 Vol. 235, No. 1, P.79-84.
Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ//ФТТ 2004. Т.46. Вып.1. С.102.
Баталов Р.И., Баязитов Р.М., Андреев Б.А., Крыжков Д.И., Теруков Е.И., Кудоярова В.Х. Фотолюминесценция в области 1.5 мкм механически обработанных слоев монкристаллического кремния // ФТП. 2003. Т.37, Вып.12. С.1427-1430.
V. V. Emtsev, B. A. Andreev, V. Yu. Davydov, D. S. Poloskin, G. A. Oganesyan, D. I. Kryzhkov, V. B. Shmagin, V. V. Emtsev, Jr , A. Misiuk and C. A. Londos Stress-induced changes of thermal donor formation in heat-treated Czochralski-grown silicon// Physica B: Condensed Matter 2003, Vol. 340-342, P. 769-772.
