Исследование спектров излучения и пропускания в области спектра между миллиметровым и средним ИК диапазонами (10 - 1000 см-1) в полупроводниках (примесные переходы, межподзонные переходы) и в структурах с квантовыми ямами и точками (межподзонные и межуровневые переходы).
Состав: Спектрометр с пироэлектрическим приемником, источником излучения (ртутная лампа) и системой регистрации и обработки Фурье-спектров на базе системы КАМАК. Оригинальные вставки в транспортные гелиевые дюары и в азотные дюары для размещения чувствительных фотоприемников (Ge(Ga), Ge(Au), Si(B), HgTe) и полупроводниковых систем с источниками питания, включая импульсные.
Проводимые исследования:
исследования пропускания структур с квантовыми ямами на базе соединений InGaAs-GaAs и GaAs-AlAs в диапазоне 200 - 800 см-1 - совместно с НИФТИ и с ФТИ им Иоффе и СПбГТУ;
наблюдение спектров спонтанного излучения в структурах с квантовыми ямами на базе соединений InGaAs-GaAs и GaAs-AlAs в диапазоне 200 - 800 см-1.
Спецпрактикум для студентов:
Разрабатывается работа 'Использование Фурье-спектроскопии для анализа пропускания полупроводниковых и диэлектрических пластин'.
