Рентгеноструктурные исследования полупроводниковых гетероструктур.
Состав: В комплект установки входят: источник рентгеновского излучения ИРИС-М7; трубка рентгеновская 1,5БСВ29-Cu; устройство угловое сканирующее - гониометр ГУР-5; приставка ГП-13, модифицированная для исследования монокристаллических эпитаксиальных слоев; блок монохроматора Ge(400); съемный блок анализатора Ge(400) с асимметричным срезом; блок детектирования сцинтилляционный БДС-7; комплекс управляющий дифрактометрический КУД-2; персональная ЭВМ PС-286 для сбора и обработки экспериментальных данных.
Проводимые исследования:
определение ориентации кристаллических срезов Si, Ge, GaAs, a-Al2O3 и других материалов с целью контроля ориентации подложек и выведения нужных кристаллографических плоскостей при резке слитков (совместно ИФМ РАН - НИФТИ ННГУ);
исследование фазового состава, структурного совершенства и ориентации эпитаксиальных слоев полупроводников (Si, Ge, GaAs и др.) и высокотемпературных сверхпроводников (YBa2Cu3O7-x);
определение концентрации твердых растворов и упругих напряжений в многокомпонентных эпитаксиальных слоях на основе твердых растворов InGaAs, GaAsN, SiGe и др., а также в многослойных структурах на основе этих слоев (совместно ИФМ РАН - НИФТИ ННГУ);
исследование профилей распределения концентрации твердых растворов в тонких слоях InGaAs, GaAsN, SiGe и на гетерограницах при использовании совместно данных послойного оже-анализа высокого разрешения и рентгеновской дифракции высокого разрешения;
исследование полупроводниковых сверхрешеток в системах InGaAs - GaAs, SiGe - Si, SiGe - Ge (совместно ИФМ РАН - НИФТИ ННГУ).
Спецпрактикум для студентов:
'Исследование многослойных структура методом рассеяния рентгеновских лучей'.
