Межфакультетская базовая кафедра 'Физика наноструктур и наноэлектроника'

'Релаксационная спектроскопия глубоких уровней'

Назначение:

Емкостные исследования полупроводников и полупроводниковых структур. Определение концентрационных профилей носителей заряда методом вольт-фарадных характеристик (ВФХ).

Определение энергии ионизации, сечения захвата носителей и концентрации глубоких электрически активных центров методом емкостной и фотоиндуцированной токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней (РСГУ) и спектральной зависимости фотоемкости. Определение энергетических параметров гетероструктур, в том числе гетероструктур с квантовыми ямами и ансамблями квантовых точек, методом адмиттанс-спектроскопии.

Состав: Измеритель L,C,R цифровой Е7-12. Измеритель иммитанса Е7-14. Высокочастотный емкостной мост - Boonton 72B. Плата канала общего пользования (КОП). Плата АЦП - L-154. Персональный компьютер Pentium. Измерительные ячейки и криогенная аппаратура для проведения измерений в диапазоне температур 4.2 - 300 К.

Проводимые исследования:

исследование глубоких электрически активных центров, ответственных за возбуждение фото- и электролюминесценции в светоизлучающих структурах на основе Si:Er;

исследование электрофизических свойств полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами и ансамблями квантовых точек: концентрационные профили носителей заряда, разрывы энергетических зон на гетерограницах, расположение, глубина и другие параметры квантовых ям, изучение связанных состояний электронов и дырок в квантовых ямах и квантовых точках;

исследование глубоких электрически активных центров в монокристаллических полупроводниках (Ge, Si, GaAs и др.) и структурах на их основе с пределом обнаружения до 1x10^-4 относительно суммарной концентрации электрически активных центров.

практикум