Межфакультетская базовая кафедра 'Физика наноструктур и наноэлектроника'

Межфакультетская базовая кафедра 'Физика наноструктур и наноэлектроника'

'Радиоспектроскоп миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн'

'Радиоспектроскоп миллиметрового и субмиллиметрового диапазона длин волн'

Назначение:

Исследование циклотронного резонанса носителей заряда и мелких примесей в полупроводниковых гетероструктурах с квантовыми ямами, спонтанного излучения горячих носителей.
Состав: Генератор сигналов 2-х миллиметрового диапазона длин волн Г4-161, лампы обратной волны (ЛОВ) миллиметрового и субмиллиметрового диапазона волн (2.3 - 0.3 мм), ОВ-24, ОВ-30, ОВ-32, ОВ-44, ОВ-45, высоковольтные блоки питания ЛОВ, криомагнитные вставки в транспортные гелиевые дюары с сверхпроводящими соленоидами на 30 кЭ,световодный гелиевый криостат с сверхпроводящим соленоидом на 60 кЭ - для исследований поглощения и фотопроводимости в миллиметровом и субмиллиметровом диапазоне длин волн, блоки питания сверхпроводящих соленоидов СТС-60 и СТС-300, криогенные фотоприемники n-InSb, n-GaAs, p-Ge и p-Si, оригинальные источники высоковольтных импульсов суб- и микросекундного диапазона для исследований полупроводниковых гетероструктур в сильных электрических полях, стандартная радиотехническая аппаратура: усилители, генераторы, источники питания, осциллографы, блоки питания, самописцы, синхродетекторы, стробоскопические преобразователи, персональная ЭВМ P-166 для сбора и обработки экспериментальных данных.

Проводимые исследования:



циклотронный резонанс в нелегированных (при фотовозбуждении носителей) и селективно легированных напряженных гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами (в том числе в квантующих магнитных полях) - совместно ИФМ РАН - НИФТИ ННГУ;



примесная фотопроводимость в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в сильных магнитных полях- совместно ИФМ РАН - НИФТИ ННГУ;



циклотронный резонанс в гетероструктурах Si/SiGe/Ge/SiGe (в том числе в сильных электрических полях);



исследование спонтанного излучения горячих носителей в полупроводниковых гетероструктурах в сильных электрических полях- совместно ИФМ РАН - НИФТИ ННГУ;



характеризация полупроводниковых гетероструктур (измерение эффекта Холла в широком интервале температур 4.2 - 300 К), измерения вольт-амперных характеристик при токах до 50А при напряжении до 2500 В.

Спецпрактикумы для студентов:



'Циклотронный резонанс электронов и дырок в германии и кремнии' для студентов физического и радиофизического факультетов, Высшей школы общей и прикладной физики ННГУ.



Подготовлена лабораторная работа 'Циклотронный резонанс дырок в напряженных гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами'.



Ведется разработка лабораторной работы 'Квантовый эффект Холла'.

практикум


в начало | общая информация | новости | сотрудники кафедры | практикум | учебный план | конференции, семинары | контакты

© Институт физики микроструктур Российской академии наук, 2004 - 2008


Rambler's Top100