Межфакультетская базовая кафедра 'Физика наноструктур и наноэлектроника'

Межфакультетская базовая кафедра 'Физика наноструктур и наноэлектроника'

'Фотолюминесцентная и фотоэлектрическая спектроскопия'

'Фотолюминесцентная и фотоэлектрическая спектроскопия'

Назначение:

Проведение автоматизированных исследований спектров излучения, пропускания, фотопроводимости в интервале длин волн 0.2 - 2 мкм в широком интервале температур 4.2 - 300 К.
Состав: Набор источников света: He-Ne лазер (непрерывный, 15 мВт), Ar+ лазер Spectra Physics (непрерывный, одномодовый, одночастотный, до 2 Вт), лазер ЛТИ-404 (импульсный, до 400 Вт в импульсе), перестраиваемые лазеры TiAl2O3 и на красителях, дейтериевая лампа, кварцевая галогенная лампа накаливания, персональный компьютер. Монохроматор МДР-23. Фотоприемники: ФЭУ-62, 100, фотодиоды. Низкотемпературные криостаты и набор низкотемпературных вставок для образцов в транспортные сосуды с жидкими газами. Оригинальные источники высоковольтных импульсов суб- и микросекундного диапазона для исследований полупроводниковых гетероструктур в сильных электрических полях, стандартная радиотехническая аппаратура: усилители, генераторы, источники питания, осциллографы, блоки питания, самописцы, синхродетекторы, стробоскопические преобразователи.

Проводимые исследования:



фотолюминесценция (при непрерывном и импульсном возбуждении), фотолюминесценция возбуждения, электролюминесценция, фотопроводимость, спектры пропускания гетероструктур на основе A3B5 с квантовыми ямами и квантовыми точками в широком интервале температур (4.2 - 300 К);



фотоэлектрическая спектроскопия квантово-размерных гетероструктур GaAs/InGaAs (спектроскопия конденсаторной фотоэдс, фотоэдс в контакте полупроводник/электролит, в барьере Шоттки, поляризационная фотоэлектрическая спектроскопия), НИФТИ ННГУ;



фото- и электролюминесценция пленок с нановключениями Si в SiO2 - совместно ИФМ РАН - НИФТИ ННГУ;



исследование модуляции фотолюминесценции и межзонного пропускания полупроводниковых гетероструктур в сильных электрических полях- совместно ИФМ РАН - НИФТИ ННГУ.

Спецпрактикумы для студентов:



'Фотолюминесценция полупроводниковых сверхрешеток'.



'Излучательные характеристики p-n перехода'.

практикум


в начало | общая информация | новости | сотрудники кафедры | практикум | учебный план | конференции, семинары | контакты

© Институт физики микроструктур Российской академии наук, 2004 - 2008


Rambler's Top100